Depósito atômico da camada de ALD
Aplicações
| Aplicações | Finalidade específica | Tipo do material de ALD |
| Dispositivos de MEMS | Gravando a camada de barreira | Al2O3 |
| Camada protetora | Al2O3 | |
| camada da Anti-ligação | TiO2 | |
| Camada hidrofóbica | Al2O3 | |
| Camada de ligamento | Al2O3 | |
| camada Desgaste-resistente | Al2O3, TiO2 | |
| camada Anti-curto do circuito | Al2O3 | |
| Camada da dissipação da carga | ZnO: Al | |
| Exposição eletroluminescente | Camada luminosa | ZnS: Manganês/Er |
| Camada do Passivation | Al2O3 | |
| Materiais do armazenamento | Materiais Ferroelectric | HfO2 |
| Materiais paramagnéticos | Gd2O3, Er2O3,₃do₂OdoDy, Ho2O3 | |
| acoplamento Não-magnético | Ru, Ir | |
| Elétrodos | Metais preciosos | |
| Acoplamento indutivo (ICP) | Camada dielétrica da porta alta-k | HfO2, TiO2, Ta2O5,₂deZrO |
| Bateria solar do silicone cristalino | Passivation de superfície | Al2O3 |
| Bateria de fita fina do Perovskite | Camada do amortecedor | ZnxMnyO |
| Camada de condução transparente | ZnO: Al | |
| empacotamento 3D | Através-silicone-Vias (TSVs) | Cu, Ru, lata |
| Aplicação luminosa | Camada do passivation de OLED | Al2O3 |
| Sensores | Camada do Passivation, materiais de enchimento | Al2O3, SiO2 |
| Tratamento médico | Materiais Biocompatible | Al2O3, TiO2 |
| Camada da proteção de corrosão | Camada da proteção de corrosão de superfície | Al2O3 |
| Bateria do combustível | Catalizador | Pinta, paládio, Rh |
| Bateria de lítio | Camada material da proteção do elétrodo | Al2O3 |
| Cabeça de leitura/gravação do disco rígido | Camada do Passivation | Al2O3 |
| Revestimento decorativo | Filme colorido, filme metalizado | Al2O3, TiO2 |
| revestimento da Anti-descoloração | Revestimento da antioxidação do metal precioso | Al2O3, TiO2 |
| Filmes óticos | Alto-baixo R.I. |
MGF2, SiO2, ZnS, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2 |
Princípio de funcionamento
O depósito atômico da camada (ALD) é um método de depositar as substâncias na superfície da carcaça no
formulário da única camada atômica do filme pela camada. O depósito atômico da camada é similar ao depósito químico comum,
mas em processo do depósito atômico da camada, a reação química de uma camada nova de filme atômico está diretamente
associado com a camada precedente, de modo que somente uma camada de átomos seja depositada em cada reação através deste método.
Características
| Modelo | ALD1200-500 |
| Sistema de revestimento do filme | AL2O3, TiO2, ZnO, etc. |
| Variação da temperatura de revestimento | Temperatura normal a 500℃ (customizável) |
| Tamanho de revestimento da câmara de vácuo | Diâmetro interno: 1200mm, altura: 500mm (customizável) |
| Estrutura da câmara de vácuo | De acordo com as exigências de cliente |
| Vácuo do fundo | <5>-7mbar |
| Espessura de revestimento | ≥0.15nm |
| Precisão de controle da espessura | ±0.1nm |
| Tamanho de revestimento | ² do ² do ² de 200×200mm/400×400mm/1200×1200 milímetro, etc. |
| Uniformidade da espessura de filme | ≤±0.5% |
| Gás do precursor e de portador |
Trimethylaluminum, tetracloreto do titânio, zinco diethyl, água pura, nitrogênio, etc. (₄ HZn do Al, do TiCl4, do C do ₉ do ₃ H de C, H2₂deO, deN, etc.) |
| Nota: Produção personalizada disponível. | |
Amostras de revestimento
Etapas do processo
O → coloca a carcaça para revestir na câmara de vácuo;
→ Vacuumize a câmara de vácuo na temperatura do alto e baixo, e para girar synchronously a carcaça;
O → começa revestir: a carcaça é contactada com precursor em ordem e sem reação simultânea;
O → remove-o com gás do nitrogênio da alto-pureza após cada reação;
A parada do → que gerencie a carcaça após a espessura de filme é até padrão e a operação da remoção e
refrigerar é terminado, a seguir toma a carcaça após o vácuo que quebra circunstâncias é encontrado para fora.
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