Magnétron de PVD que engasga o depósito
Aplicações
| Aplicações | Finalidade específica | Tipo material |
| Semicondutor | IC, elétrodo do LSI, prendendo o filme | AI, Al-si, Al-Si-Cu, Cu, Au, pinta, paládio, AG |
| Elétrodo da memória do VLSI | Mo, W, si | |
| Filme da barreira de difusão | MoSix, Wsix, TaSix, TiSx, W, Mo, W-si | |
| Filme esparadrapo | PZT (pb-ZrO2-si), si, W | |
| Exposição | Filme condutor transparente | ITO (In2O; - SnO2) |
| Filme da fiação do elétrodo | Mo, W, Cr, Ta, si, Al, AlTi, AITa | |
| Filme eletroluminescente |
ZnS-manganês, ZnS-TB, CAS-Eu, Y2O3, Ta2O5, BaTiO3 |
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| Gravação magnética | Filme de gravação magnética vertical | CoCr |
| Filme para o disco rígido | CoCrTa, CoCrPt, CoCrTaPt | |
| Cabeça magnética de filme fino | CoTaZr, CoCrZr | |
| Filme de cristal artificial | CoPt, CoPd | |
| Gravação ótica | Filme de gravação do disco da mudança de fase | TeSe, SbSe, TeGeSb, etc. |
| Filme de gravação do disco magnético |
TbFeCo, DyFeCo, TbGdFeCo, TbDyFeCo |
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| Filme reflexivo do disco ótico | AI, AITi, AlCr, Au, liga do Au | |
| Filme da proteção do disco ótico | Si3N4, SiO2+ZnS | |
| Bateria de fita fina do Perovskite | Camada de condução transparente | ZnO: Al |
| Tratamento médico | Materiais Biocompatible | Al2O3, TiO2 |
| Revestimento decorativo | Filme colorido, filme metalizado | Al2O3, TiO2, etodos ostiposdefilmesdometal |
| revestimento da Anti-descoloração | Revestimento da antioxidação do metal precioso | Al2O3, TiO2 |
| Filmes óticos | Alto-baixo R.I. | SiO2, TiO2, Ta2O5,₂deZrO, HfO2 |
| Outras aplicações | Filme opaco | Cr, AlSi, AlTi, etc. |
| Filme Resistive | NiCrSi, CrSi, MoTa, etc. | |
| Filme Superconducting | YbaCuO, BiSrCaCuo | |
| Filme magnético | Fe, Co, Ni, FeMn, FeNi, etc. |
Princípio de funcionamento
Engasgar do magnétron é um tipo do depósito de vapor físico (PVD). Faz o movimento dos elétrons na espiral
trajetos perto da superfície do alvo pela interação entre campos magnéticos e elétricos, assim aumento
probabilidade dos elétrons que batem o gás do argônio para gerar íons. Os íons gerados bateram então a superfície do alvo
sob a ação do campo elétrico e para engasgar os materiais de alvo ao filme fino do deposite na superfície da carcaça.
O método geral engasgar pode ser usado para a preparação de vários metais, semicondutores, ferromagnetic
materiais, assim como óxidos isolados, cerâmica e outras substâncias. O equipamento usa o toque de PLC+
sistema de controlo do painel HMI, que pode incorporar parâmetros pela relação de processo programável, com as funções
como o único alvo que engasga, engasgando sequencial a várias línguas de chegada e co-engasgando.
Características
| Modelo | MSC700-750-700 |
| Tipo de revestimento | Vários filmes dielétricos tais como o filme do metal, o óxido de metal e o AIN |
| Variação da temperatura de revestimento | Temperatura normal a 500℃ (customizável) |
| Tamanho de revestimento da câmara de vácuo | 700mm*750mm*700mm (customizável) |
| Vácuo do fundo | <5>-7mbar |
| Espessura de revestimento | ≥10nm |
| Precisão de controle da espessura | ≤±3% |
| Tamanho de revestimento máximo | ≥100mm (customizável) |
| Uniformidade da espessura de filme | ≤±0.5% |
| Portador da carcaça | Com mecanismo planetário da rotação |
| Material de alvo | polegadas 4x4 (compatíveis com 4 polegadas e abaixo) |
| Fonte de alimentação | As fontes de alimentação tais como C.C., pulso, RF, SE e a polarização é opcional |
| Gás do processo | AR, N2, O2 |
| Nota: Produção personalizada disponível. | |
Amostra de revestimento
Etapas do processo
O → coloca a carcaça para revestir na câmara de vácuo;
O → vacuumize aproximadamente;
O → gerencie na bomba molecular, vacuumize na velocidade superior, a seguir gerencie na revolução e na rotação;
→ que aquece a câmara de vácuo até que a temperatura alcançar o alvo;
O → executa o controle de temperatura constante;
O → limpa elementos;
O → revolve e de volta à origem;
Filme de revestimento do → de acordo com exigências do processo;
O → abaixa a temperatura e para o conjunto da bomba após o revestimento;
O → para de trabalhar quando a operação automática é terminada.
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